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Void-free implantable hermetically sealed structures
专利权人:
发明人:
申请号:
EP12175079.8
公开号:
EP2520331A3
申请日:
2007.04.12
申请国别(地区):
EP
年份:
2013
代理人:
摘要:
An implantable integrated circuit structure comprising a conformal thin-film sealing layer for hermetically sealing circuitry layers is provided. Also disclosed are electrode structures, leads that include the same, implantable pulse generators that include the leads, as well as systems and kits having components thereof, other implantable devices utilizing the structures, and methods of making and using the subject structures.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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