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一种基于MEMS工艺的二维薄膜气体流量传感器及其加工方法
专利权人:
东南大学
发明人:
夏敦柱,徐磊
申请号:
CN201610218958.7
公开号:
CN105806430A
申请日:
2016.04.08
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
唐红
摘要:
本发明公开一种基于MEMS工艺的二维薄膜气体流量传感器及其加工方法:从上往下依次包括有薄膜掩蔽层、薄膜电阻结构、第一薄膜悬空隔离层、硅基底层和第二薄膜悬空隔离层;第一薄膜悬空隔离层衬于硅基底层上方,第二薄膜悬空隔离层衬于硅基底层下方,第一薄膜悬空隔离层的外表面上设有薄膜电阻结构;薄膜电阻结构包括薄膜测温电阻和薄膜加热电阻,薄膜加热电阻位于薄膜悬空隔离层的中心位置,薄膜测温电阻位于薄膜加热电阻延展方向的两侧;硅基底层上开设有反应刻蚀沟槽。本发明体积小,重量轻,精度高,响应速度快,功耗低,可批量生产等特点,预期可广泛应用于用于航空航天、交通、电力、冶金、节能减排等领域,具有极为广阔的应用前景。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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