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一种MRI磁信号增强器件
专利权人:
深圳光启创新技术有限公司
发明人:
刘若鹏,栾琳,郭洁,郭文鹏,杨学龙
申请号:
CN201210133057.X
公开号:
CN102683879A
申请日:
2012.04.28
申请国别(地区):
CN
年份:
2012
代理人:
摘要:
本发明通过设计一种具有负磁导率特性的MRI磁信号增强器件,并将MRI磁信号增强器件放置于待测部位与磁信号接收线圈之间,由于具有负磁导率的MRI磁信号增强器件能增强倏逝波的传播,因此,能有效地增强磁信号的接收,使磁信号接收线圈在距离设置和形状设计上具有更好的灵活性,并能增强MRI成像效果,为医学诊断提供更为准确的信息。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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