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一种散尾葵的栽培基质及其栽培方法
专利权人:
寸国强
发明人:
寸国强
申请号:
CN201711319545.9
公开号:
CN107873463A
申请日:
2017.12.12
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
赵宇`刘东
摘要:
本发明公开一种散尾葵的栽培基质及其栽培方法,按重量份数计,所述栽培基质包括以下组分:木屑20~30份,黄壤土20~30份,蛭石10~20份,椰糠10~15份,牛粪10~30份,草木灰10~20份,沼渣5~10份。所述栽培基质能够提高散尾葵的品质,以及达到提高散尾葵抗病防虫的能力,操作简单,生产成本低,栽培效果好,有利于实现规模化生产和应用,适于普遍推广。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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