一种降低电极边缘电流密度的经颅电刺激电极

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专利权人:

华中科技大学

发明人:

许赟,徐坤,徐硕,陈俊语

申请号：

CN201920208018.9

公开号：

CN210542881U

申请日:

2019.19.02

申请国别(地区):

CN

年份:

2020

代理人:

摘要：

本实用新型公开了一种降低电极边缘电流密度的经颅电刺激电极,所述经颅电刺激电极由柱状导电材料和绝缘材料构成,其中,多个柱状导电材料由内到外同轴嵌套,同一电极中各柱状导电材料之间用绝缘材料隔离,各柱状导电材料的高度由内到外依次增大,最内层的柱状导电材料为实心柱状或者空心柱状,除最内层外的其他柱状导电材料均是空心柱状。本实用新型通过改变内外层柱状导电材料的高度,调节其与头皮接触面各点所在通路的阻抗使之匹配,实现各柱状体与头皮接触面的边缘电流密度均衡,降低了电极‑头皮接触面的边缘电流密度。从而降低了边缘电流密度过大带来的副作用,为更高的刺激电流幅值提供了可能的技术手段。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/