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PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR IMPLANT SURFACE MODIFICATION AND IMPLANT SURFACE MODIFICATION METHOD
专利权人:
KK;株式会社NDC;NDC:KK;NDC
发明人:
GOTO TETSUO,後藤 哲男
申请号:
JP2016130125
公开号:
JP2018000431A
申请日:
2016.06.30
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing apparatus for implant surface modification in which an implant is made possible to perform an overall surface treatment homogeneously, regardless of a direction of placement.SOLUTION: A plasma processing apparatus for implant surface modification has: a sealed container 2; electrodes provided on upper and lower surfaces in a sealed container, respectively; an electric supply unit for supplying electricity to the electrodes; a vacuum pump 31 for bringing the sealed container into a low pressure; and an implant arrangement unit 25 for arranging an implant between the upper electrode 21 and the lower electrode 22. The apparatus is provided for generating plasma in the sealed container by bringing the sealed container into the low pressure and supplying an electric current into the electrodes, and modifying the surface of the implant arranged between the upper electrode and the lower electrode. The implant arrangement unit is configured to hold the implant between the upper electrode and the lower electrode, and in a predetermined position apart from both electrodes.SELECTED DRAWING: Figure 1COPYRIGHT: (C)2018,JPO&INPIT【課題】インプラントを置き方の向きにかかわらず、均質的に全体の表面処理が可能となるインプラント表面改質用プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】密閉容器2と、密閉容器内の上面及び下面に夫々設けられた電極と、電極に電気を供給する電気供給部と、密閉容器内を低圧にする真空ポンプ31と、上部電極21と下部電極22との間にインプラントを配置するインプラント配置部25を有し、密閉容器内を低圧にするとともに電極に電流を流すことで、密閉容器内にプラズマを発生させて、上部電極と下部電極との間に配置されたインプラントの表面を改質する装置であって、インプラント配置部が、インプラントを、上部電極と下部電極との間、且つ、両電極から離れた所定位置に絶縁状態に保持するように構成されている。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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