过压保护电路及植入式有源电子医疗装置
- 专利权人:
- 苏州景昱医疗器械有限公司
- 发明人:
- 王震
- 申请号：
- CN201521127953.0
- 公开号：
- CN205360245U
- 申请日:
- 2015.12.30
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本实用新型实施例公开了一种过压保护电路及植入式有源电子医疗装置。所述过压保护电路包括：第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管及桥式整流器。其中，所述第一MOS场效应管的栅极与所述第三MOS场效应管的源极或漏极相连，所述第二MOS场效应管的栅极与所述第四MOS场效应管的源极或漏极相连。本实用新型实施例提供的过压保护电路及植入式有源电子医疗装置能够避免因过压造成对植入式有源电子医疗装置的损坏。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
