基于电流量的电阻抗成像方法、装置及存储介质
- 专利权人:
- 西交利物浦大学
- 发明人:
- 马而昉
- 申请号：
- CN202010079013.8
- 公开号：
- CN113273988A
- 申请日:
- 2020.02.03
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于电流量的电阻抗成像方法、装置及存储介质。成像方法包括：对成像区域进行网格化，并获取网格参数；在电流密度在每个元素中处处相同的条件下，基于网格参数、成像区域中电流密度分布的无源性、电场分布的无旋性以及成像区域边界电流量条件，确定当成像区域中电导率服从某个分布时流过每个元素边界的电流量；基于每个元素边界的电流量确定成像区域的电流密度分布以及电场强度分布；基于电场强度分布确定成像区域的电势分布；基于电势分布进行图像重构。在同一网格条件下，本发明提高了计算电阻抗成像正问题的精度，从而提高了电阻抗成像的精度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
