Sposób wytwarzania nanometrycznych warstw ditlenku tytanu o dzialaniu bakteriobójczym metoda chemicznego osadzania z fazy gazowej z wykorzystaniem heksa-μ₃-okso-di-μ₃-akwa-heksa-μ-2,2-dimetylopropioniano-heksa-μ-izobutanolano-cykloheksatytanu (IV)
PISZCZEK PIOTR,PISZCZEK PIOTR,MUCHEWICZ ZANETA,MUCHEWICZ &ZdotANETA,ROZYCKI HENRYK,RÓ&ZdotYCKI HENRYK
申请号：
PL39695411
公开号：
PL396954A1
申请日:
2011.11.14
申请国别(地区):
PL
年份:
2013
代理人:
摘要：
process for the production of nanometric layers of titanium dioxide on the bactericidal action of chemical gas phase deposition method using hex -? 3 - oxo - di -? 3 - aqua hex -? - 22 - dimetylopropioniano - hex -? - izobutanolano - cykloheksatytanu (iv), is, with a titanium (iv) relationship hex -? 3 - oxo - di -? 3 - aqua hex -? - 22 - dimetylopropioniano - hex -? - izobutanolano - cykloheksatytanu (iv), of the general formula [ti6o6 (h2o) 2 (oibu) 6 (ooctbu) 6] is subjected to sublimation at 513 k,and then putting titanium dioxide in the temperature range 573 - 853 k in argon atmosphere, under a pressure of 1.5 psi.relationship of general formula [ti6o6 (h2o) 2 (oibu) 6 (ooctbu) 6] was used as the precursor of titanium dioxide in chemical gaseous phase deposition method.as podloze used titanium foil and surgical implants made from titanium and used in surgery szczekowo - surgery to be included,which surfaces previously activated by immersion in 40% sodium hydroxide solution. a layer of titanium dioxide were obtained in the temperature range of deposition 693 - 723 k.sublimacje and deposition is performed in thermally induced chemical deposition from the gas phase reactor.Sposób wytwarzania nanometrycznych warstw ditlenku tytanu o dzialaniu bakteriobójczym metoda chemicznego osadzania z fazy gazowej z wykorzystaniem heksa-?3-okso-di-?3-akwa-heksa-?-2,2-dimetylopropioniano-heksa-?-izobutanolano-cykloheksatytanu(IV), polega na tym, ze zwiazek kompleksowy tytanu(IV) heksa-?3-okso-di-?3-akwa-heksa-?-2,2-dimetylopropioniano-heksa-?-izobutanolano-cykloheksatytanu(IV), o wzorze ogólnym [Ti6O6(H2O)2(OiBu)6(OOCtBu)6] poddaje sie sublimacji w temperaturze 513 K, a nastepnie osadzaniu ditlenku tytanu w zakresie temperatury 573-853 K w atmosferze argonu, pod cisnieniem 1.5 hPa. Zwiazek o wzorze ogólnym [Ti6O6(H2O)2(OiBu)6(OOCtBu)6] wykorzystano jako prekursor ditlenku tytanu w metodzie chemicznego osadzania z fazy gazowej. Jako podloze zastosowano folie tytanowa oraz implant
