Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung poröser Mikrostrukturen (8, 8) in einem Si-Halbleitersubstrat (1), nach diesem Verfahren hergestellte poröse Mikrostrukturen (8, 8) sowie deren Verwendung.The invention relates to a method for producing porous microstructures (8, 8) in an Si semiconductor substrate (1), to porous microstructures (8, 8) produced according to this method and to the use thereof.Linvention concerne un procédé de production de microstructures poreuses (8, 8) dans un substrat semi-conducteur Si (1), les microstructures poreuses (8, 8) obtenues selon le procédé ainsi que leur utilisation.
