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Photosensitive pixel with shunt resistor
专利权人:
ピクシウム ビジョン エスエー
发明人:
マーティン・ドテール
申请号:
JP2017559070
公开号:
JP2018514338A
申请日:
2016.04.28
申请国别(地区):
JP
年份:
2018
代理人:
摘要:
The present invention relates to a photosensitive implant comprising at least one pixel (10) having at least one diode (12, 12 '), a stimulation electrode (14), a counter electrode (18) and a resistor (16). Wherein the resistance of the resistor (16) is selected according to a predetermined relationship of resistance, size of the stimulation electrode (14), and size of the diode (12, 12 '). The invention further relates to a method for providing such an implant. [Selection] Figure 1本発明は、少なくとも1つのダイオード(12,12’)と、刺激電極(14)と、対向電極(18)と、抵抗体(16)とを有する少なくとも1つの画素(10)を含む感光性インプラントであって、前記抵抗体(16)の抵抗が、抵抗、前記刺激電極(14)のサイズ、及び前記ダイオード(12,12’)のサイズの所定の関係にしたがって選択される感光性インプラントに関する。更に、本発明は、そのようなインプラントを提供する方法に関する。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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