立体定向磁头及阵列、大脑神经细胞电活动干涉系统
- 专利权人:
- 臧大维
- 发明人:
- 郑勇,臧大维
- 申请号：
- CN201611245067.7
- 公开号：
- CN106669040B
- 申请日:
- 2016.29.12
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种立体定向磁头及阵列、大脑神经细胞电活动干涉系统,其技术特点是:该立体定向磁头包括立体定向磁头外壳、脉冲磁场线圈、脉冲磁场导向柱、多个磁场立体定向控制线圈和磁场导向圆锥环;该立体定向磁头阵列由多个立体定向磁头组成;该系统包括立体定向磁头阵列、脉冲磁场线圈控制单元、磁场立体定向控制线圈控制单元和中心控制单元。本发明将脉冲磁场作用于大脑可改变大脑皮层神经细胞的膜电位并使之产生感应电流,通过对脉冲磁场的方向、磁感应强度进行控制,实现对人脑皮层神经细胞电活动的控制功能,可广泛应用于无创性人工视觉、人工听觉、异常大脑皮层电活动控制治疗及重塑异常神经元的功能等。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
