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用含硅芳炔树脂制备的C/C-SiC复合材料及其制备方法
- 专利权人:
- 华东理工大学
- 发明人:
- 黄发荣,杜磊,鲁加荣,姜云,陈慧高,辛浩
- 申请号：
- CN201510393428.1
- 公开号：
- CN105110807A
- 申请日:
- 2015.07.06
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 周兆云`朱小晶
- 摘要：
- 本发明涉及一种以含硅芳炔树脂为前驱体制备的C/C-SiC复合材料及其制备方法，含硅芳炔树脂是一种新型的有机无机杂化树脂，可溶可熔，固化树脂耐热性能突出，热分解残留率(800℃)高达90％以上。本发明以含硅芳炔树脂为前驱体，采用前驱体浸渍法(PIP)制备C/C-SiC复合材料，具体工艺为：将纤维或织物浸渍含硅芳炔树脂前驱体溶液或熔体，制备含硅芳炔树脂复合材料，经高温炭化得到多孔C/C-SiC复合材料；再用含硅芳炔树脂溶液或熔体再次浸渍多孔C/C-SiC复合材料，再经干燥、固化、炭化工序，如此重复2～6次，制得性能优良的致密C/C-SiC复合材料，本发明技术具有浸渍工艺简易、炭化工艺简单、致密化效率高、材料性能高的特点。发明的C/C-SiC复合材料可望用于航天航空等高技术领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
