一种促进巴郎山杓兰生长的培养基
- 专利权人:
- 陶象余
- 发明人:
- 陶象余
- 申请号：
- CN201711127047.4
- 公开号：
- CN107810826A
- 申请日:
- 2017.11.15
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种促进巴郎山杓兰生长的培养基，其特征在于，包括如下组分：1/4‑1/2MS培养基、0.2‑0.4mg/L吲哚丁酸、0.8‑1mg/L赤霉素、0.8‑1.2mg/L三十烷醇、0.02‑0.07mg/L莠去津、0.3‑0.8mg/L吲熟酯、3‑5g/L琼脂糖。本发明MS培养基中添加组分少，培养效果显著，成本低，所添加的吲哚丁酸、赤霉素和三十烷醇能够有效促进生根和茎叶生长，添加的莠去津、吲熟酯可以进一步补充培养所需的蛋白质和氨基酸，保证营养均衡，提高成活率至90％以上，适宜推广应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
