Provided is a method for removing C4–20 hydrophilic compounds. A hydrophilic compound removal method that is characterized by including a step (a) for radiating 0.1–500 kGy radiation at a composition that includes C4–20 hydrophilic compounds and thereby removing the hydrophilic compounds from the composition.L'invention concerne un procédé d'élimination de composés hydrophiles en C4 – 20. Un procédé d'élimination de composé hydrophile qui est caractérisé en ce qu'il comprend une étape (A) pour émettre un rayonnement de 0,1 à 500 kGy vers une composition qui comprend des composés hydrophiles en C4 – 20 et ainsi éliminer les composés hydrophiles de la composition.炭素数４～２０の親水性化合物を除去する方法を提供する。炭素数４～２０の親水性化合物を含む組成物に、０．１～５００ｋＧｙの放射線を照射して、前記組成物から前記親水性化合物を除去する工程（ａ）を含むことを特徴とする親水性化合物の除去方法である。
