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中性子光学系
专利权人:
TOKYO METROPOLITAN UNIV
发明人:
EZOE YUICHIRO,江副 祐一郎,TAKAHASHI TADAYUKI,高橋 忠幸,MITSUDA KAZUHISA,満田 和久,KATO MASAHIRO,加藤 昌浩
申请号:
JP2010236859
公开号:
JP2012088251A
申请日:
2010.10.21
申请国别(地区):
JP
年份:
2012
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a neutron optical system which is easily manufactured, is a lightweight neutron condensation imaging system with excellent imaging performance, and has dramatically improved reflectance and energy band.SOLUTION: An atomic layer deposition method is used so as to deposit a reflection film with a precision at a sub-nm level on a sidewall with a curved surface hole structure which is manufactured in silicon or nickel being a material with a fine structure body by micromachining technology. Consequently, there is provided the neutron optical system with dramatically improved reflectance and energy band.COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT【課題】簡易に製造でき、軽量かつ結像性能の良い中性子集光結像系であって、反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上した中性子光学装置を提供することである。【解決手段】微細構造体の材質であるシリコンやニッケルにマイクロマシン技術で製作した曲面穴構造の側壁に原子層体積法を用いて、サブnmレベルの正確さで、反射膜を成膜することにより反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上した中性子光学装置を提供することが可能となった。【選択図】図9
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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