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一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极
- 专利权人:
- 烟台大学
- 发明人:
- 赵文韬,刘宇航,李岩,张文超,柴永生
- 申请号：
- CN202020127471.X
- 公开号：
- CN211486225U
- 申请日:
- 2020.01.20
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本实用新型旨在降低脑部刺激手术中套管电极圆柱面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布24列，仿生微织构区域总长59.5 mm，其两端的直线型沟槽头部对齐，与穿刺端面的距离为0.5 mm，相邻列直线型沟槽交错分布，可相互协助支撑脑组织在圆柱表面的包裹作用；以上所有直线型沟槽的宽度均为18µm，深度均为10µm，本实用新型可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
