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半導体装置、半導体集積回路、及び負荷駆動装置
- 专利权人:
- 日立オートモティブシステムズ株式会社
- 发明人:
- 池ヶ谷 克己,大島 隆文
- 申请号：
- JP20170536693
- 公开号：
- JPWO2017033642(A1)
- 申请日:
- 2016.07.25
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- ２次元に拡がって配置されたトランジスタの全域で電流密度を均一にできない欠点がある。ドレインとソースとゲートとを有するトランジスタ１が多数並列に配置されたトランジスタ層の上に、各トランジスタ１のドレインが接続される入力側配線層であるメタル配線層１０と各トランジスタのソースが接続される出力側配線層であるメタル配線層１１とが並設されている。更に、入力側配線層であるメタル配線層１０と各トランジスタのドレインとを接続し、出力側配線層であるメタル配線層１１と各トランジスタのソースとを接続する複数のスルーホール２、３を備える。そして、複数のスルーホール２、３の抵抗値を、入力側配線層及び出力側配線層の並び方向に沿って変える。これにより、２次元に拡がって配置されたトランジスタの電流密度を均一
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
