A method of manufacturing an ultrasonic probe and an ultrasonic probe therefor are provided. A method of manufacturing an ultrasonic probe includes forming a plurality of grooves by removing a first insulating layer and a first silicon wafer part of a first substrate including a first silicon wafer and a first insulating layer, A second substrate having an SOI structure is bonded to the first substrate so as to form a plurality of cavities, the remaining material of the second substrate excluding the silicon thin film is removed, and an ultrasonic transducing cell is formed on a region of the silicon thin film corresponding to the cavity The first substrate and the silicon thin film are divided to generate a plurality of unit substrates.초음파 프로브의 제조 방법 및 그 초음파 프로브를 제공한다. 본 초음파 프로브의 제조 방법은, 제1 실리콘 웨이퍼 및 제1 절연층을 포함하는 제1 기판 중 제1 절연층 및 제1 실리콘 웨이퍼의 일부 영역을 제거함으로써 복수 개의 홈을 형성하고, 복수 개의 홈이 복수 개의 캐비티가 되도록 SOI 구조를 갖는 제2 기판을 제1 기판에 접합하며, 제2 기판 중 실리콘 박막을 제외한 나머지 물질을 제거하고, 실리콘 박막 중 상기 캐비티에 대응하는 영역상에 초음파 변환 셀을 형성하며, 상기 제1 기판 및 상기 실리콘 박막을 분할하여 복수 개의 단위 기판을 생성한다.
