一种霍山石斛专用种植基质及其制备方法
- 专利权人:
- 覃伟
- 发明人:
- 覃伟
- 申请号：
- CN201610268413.7
- 公开号：
- CN105918085A
- 申请日:
- 2016.04.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 但玉梅
- 摘要：
- 本发明公布了一种霍山石斛专用种植基质，包括由下至上依次叠加设置的基质A、基质B和基质C；按照重量份数比计，基质A为干高粱秸秆10‑20份或干甘蔗叶10‑20份；基质B为蚕沙10‑15份、腐熟酒精沼渣10‑20份等的混合物；基质C为改性生物炭10‑25份、朽木15‑45份等和木霉菌剂2‑5份的混合物。种植基质的制备方法为改性生物炭的制备，基质A、B、C的制备，然后叠加而成。本发明制备方法简单易懂，且本发明制备的种植基质克服了基质长期使用腐烂不透气，不保水，且成本低，营养全，更有利于霍山石斛的生长，促使霍山石斛茎干长得更加粗壮，根系更发达。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
