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一种较高AgO含量的AgOx多功能薄膜制备方法
专利权人:
四川大学
发明人:
毛健,尹海顺,涂铭旌
申请号:
CN200910059979.9
公开号:
CN101608303B
申请日:
2009.07.14
申请国别(地区):
中国
年份:
2010
代理人:
摘要:
本发明在于提供一种具有较高AgO含量的AgOx薄膜的制备技术,采用化学沉积法实现。反应物采用硝酸银和三乙醇胺,通过调整反应液中的银离子浓度和前后两次的三乙醇胺滴加量以及相应的工艺参数来控制薄膜中AgO含量,制备的AgOx薄膜中AgO含量最高可达到54wt.%。该方法制备工艺流程简单,不需要苛刻的反应设备和条件,且容易实现较高AgO含量的AgOx薄膜制备,对于较高AgO含量的AgOx薄膜在液体抗菌领域应用,在生物医药领域的应用以及在光选择性透过等领域的推广应用有明显促进作用。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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