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一种无公害大葱的高产种植方法
专利权人:
张凤军
发明人:
张凤军
申请号:
CN201410618903.6
公开号:
CN105612972A
申请日:
2014.11.06
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
摘要:
一种无公害大葱的高产种植方法属于农业技术领域,尤其涉及大葱的种植方法。本发明提供一种完善的大葱种植技术,提高大葱产量,适合大规模种植及推广的大葱种植方法。一种大葱的高产种植方法,包括以下步骤。(1)品种选择,四季栽培要选择耐寒、耐旱、耐热、适应性强的品种。(2)苗床管理,选择地势平坦,背风向阳,灌溉方便,土壤肥沃的土地。(3)管理技术,冬春季苗床管理越冬前秧苗应有2~3片叶,根据气温和土壤湿度在封冻前浇一次越冬水。(4)定植,当葱秧长到高30-40厘米,横径粗1-1.5厘米时正适于移植。(5)移栽,移栽前要施足底肥,每667平方米施腐熟的优质农家肥6000kg、磷肥30kg、三元复合肥50kg。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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