一种无公害大葱的高产种植方法
- 专利权人:
- 张凤军
- 发明人:
- 张凤军
- 申请号:
- CN201410618903.6
- 公开号:
- CN105612972A
- 申请日:
- 2014.11.06
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要:
- 一种无公害大葱的高产种植方法属于农业技术领域,尤其涉及大葱的种植方法。本发明提供一种完善的大葱种植技术,提高大葱产量,适合大规模种植及推广的大葱种植方法。一种大葱的高产种植方法,包括以下步骤。(1)品种选择,四季栽培要选择耐寒、耐旱、耐热、适应性强的品种。(2)苗床管理,选择地势平坦,背风向阳,灌溉方便,土壤肥沃的土地。(3)管理技术,冬春季苗床管理越冬前秧苗应有2~3片叶,根据气温和土壤湿度在封冻前浇一次越冬水。(4)定植,当葱秧长到高30-40厘米,横径粗1-1.5厘米时正适于移植。(5)移栽,移栽前要施足底肥,每667平方米施腐熟的优质农家肥6000kg、磷肥30kg、三元复合肥50kg。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心