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一种促进奇楠生长的栽培方法
专利权人:
海南煊烨生物科技有限公司
发明人:
张国栋
申请号:
CN202010082827.7
公开号:
CN111133947A
申请日:
2020.07.02
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明提供一种促进奇楠生长的栽培方法,包括以下步骤:(1)机耕:选择热带或亚热带地区土壤,把土地机耕50cm以上;(2)密植:按株行距挖穴,按2m*2m布设,穴深度为1.5m以上;挖好植穴后,投放38‑42kg基底肥,埋于表土40cm以下,所述基底肥为复合肥和过磷酸钙,在上述肥料上面加填18‑23cm新土;往树坑内放入奇楠树苗,填土,种好后浇灌透水;(3)养护:定期淋肥、浇水、施用杀虫剂,所述杀虫剂包括以下重量份数的原料制得:生姜8‑12份、鹧鸪菜5‑8份、槟榔1‑3份、石榴皮4‑6份、蛇床子12‑15份。采用本发明的栽培方法,有效降低病虫害发生率,而且奇楠的生长状况良好,表现出很强的适生性和速生性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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