微电极阵列及其形成方法
- 专利权人:
- 国际商业机器公司
- 发明人:
- 程慷果,A·哈希比,A·卡基菲鲁兹,D·S·莫德哈
- 申请号：
- CN201280058828.1
- 公开号：
- CN103957990B
- 申请日:
- 2012.11.30
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 一种方法，包括：在衬底(106)中形成一个或多个沟槽(104)；用电介质衬里(112)为所述一个或多个沟槽(104)加衬；用导电电极(102)填充所述一个或多个沟槽(104)以形成一个或多个沟槽电极(102)；在所述衬底(106)上形成晶体管层(108)；将所述一个或多个沟槽电极(102)中的每一个连接到所述晶体管层(108)中的至少一个存取晶体管(716)；以及减薄所述衬底(106)以暴露每一个所述沟槽电极(102)的至少一部分。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
