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利用纳米金颗粒催化增长提高表面等离子体共振传感器灵敏度的方法
专利权人:
湖南大学
发明人:
王柯敏,羊小海,王青
申请号:
CN200610031234.8
公开号:
CN1815194A
申请日:
2006.02.17
申请国别(地区):
中国
年份:
2006
代理人:
赵洪
摘要:
本发明公开了一种利用纳米金颗粒催化增长提高表面等离子体共振传感器灵敏度的方法,它是在表面等离子体共振传感器的金属薄膜表面包被一层20~35nm厚的二氧化硅SiO2薄层,利用纳米金颗粒催化增长增强了表面等离子体共振信号,提高了表面等离子体共振SPR传感器的灵敏度。本发明使纳米金颗粒催化增长可以应用于表面等离子体共振(SPR)传感器,在纳米金颗粒催化增长的过程中,金或者银的离子被催化还原沉积在纳米金颗粒表面的同时,不会被沉积在金属薄膜表面而引起背景增高。该方法简单易行、成本低、灵敏度高。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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