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一种在钙磷硅陶瓷表面原位构建羟基磷灰石微纳米中空管的方法
- 专利权人:
- 华南理工大学
- 发明人:
- 王迎军,刘骁,赵娜如
- 申请号：
- CN202211193379.3
- 公开号：
- CN115536382A
- 申请日:
- 2022.09.28
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2022
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种在钙磷硅陶瓷表面原位构建羟基磷灰石微纳米中空管的方法，该方法选用磷酸钙类生物活性粉体为主要原料，并加入一定量的钙硅生物活性粉体，成型后进行热处理得到具有一定强度的钙磷硅陶瓷基底材料。采用水热处理方法，通过调控水热体系的pH值，使基底材料本身释放的钙离子和磷酸根离子在基底材料表面成核和生长，从而在基底材料表面可控构建出直径数百纳米至两微米的羟基磷灰石六棱柱状中空管，该表面层提高了材料的比表面积，进一步可提高材料的药物装载效率。本发明采用的水热方法简单易行，生产成本低，获得了中空管状羟基磷灰石晶体表面层，预期可以更好地提升组织工程支架的骨再生修复性能并获得高药物负载效率的植入支架。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
