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一种高产优质豌豆的种植方法
- 专利权人:
- 和县绿缘温室科技有限公司
- 发明人:
- 管大鹏,张金龙,张太保
- 申请号：
- CN201810795778.4
- 公开号：
- CN108887128A
- 申请日:
- 2018.07.19
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 黄晶晶
- 摘要：
- 本发明涉及种植技术领域，具体涉及涉及一种高产优质豌豆的种植方法，包括如下几个步骤：(1)选择土壤肥力好、灌排方便、无盐碱、三年轮作的pH为6.5‑7.0的冷凉地块作为种植地；(2)选择病害少、抗倒伏的豌豆种子，播种前用清水浸泡3‑4小时，再放入3‑5℃的低温环境下处理一定时间，备用；(3)3月中旬至4月上旬，当地面以下12‑15cm处温度达到0‑2℃即可播种，定植穴深5‑7cm，每穴4‑5粒种子；(4)每亩施加尿素100‑120kg，有机肥1500‑1600kg；(5)植株高5‑8cm时，亩用300ml辛硫磷，兑30kg水搅拌均匀，喷洒，花开后，用2.5％菜喜悬浮剂1200‑1300倍液，间隔喷洒3次；(6)果实饱满、成熟后，适时采收；本发明提供的豌豆种植方法获得的豌豆产量高，虫害少，有效弥补了现有技术存在的缺陷。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
