C crystals of febuxostat are produced by heating a mixture of C crystals and an amorphous form of febuxostat. The content the amorphous form of febuxostat is lowered by heating a formulation or sample including an amorphous form of febuxostat. A stable formulation or sample including C crystals of febuxostat is produced. Novel crystals of febuxostat are provided by heating an amorphous form of febuxostat. Measurement is conducted by differential scanning calorimetry, and the novel crystals and amorphous form of febuxostat are detected and quantified by measuring the endothermic peak level that appears at approximately 211°C.Linvention concerne des cristaux C de fébuxostat qui sont produits par chauffage dun mélange de cristaux C et dune forme amorphe de fébuxostat. La teneur en forme amorphe de fébuxostat est abaissée en chauffant une formulation ou un échantillon comprenant une forme amorphe de fébuxostat. Une formulation ou un échantillon stable comprenant des cristaux C de fébuxostat est produit(e). Les cristaux de fébuxostat dun nouveau type sont fournis en chauffant une forme amorphe de fébuxostat. Une mesure est effectuée par calorimétrie différentielle à balayage, et les cristaux dun nouveau type et la forme amorphe de fébuxostat sont détectés et quantifiés en mesurant le niveau de pic endothermique qui apparaît approximativement à 211 °C.フェブキソスタットのC晶及び非晶質体の混合物を加熱することにより、フェブキソスタットのC晶を製造する。フェブキソスタットの非晶質体を含む製剤又は試料を加熱することにより、フェブキソスタットの非晶質体の含量を低下させる。フェブキソスタットのC晶を含む安定な製剤又は試料を製造する。フェブキソスタットの非晶質体を加熱することにより新規フェブキソスタットの結晶を提供する。示差走査熱量を測定し、約211℃に現れる吸熱ピーク量を測定することにより、上記フェブキソスタットの新規結晶及び非晶質体の検出及び定量を行う。
