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一种基于GAN的脑部电阻抗断层成像方法
专利权人:
浙江工业大学
发明人:
宣琦,袁琴,孙翊杰,翔云
申请号:
CN201910846898.7
公开号:
CN110720915A
申请日:
2019.09.09
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
一种基于GAN的脑部电阻抗断层成像方法,包括以下步骤:1)获取原始数据,通过实验装置采集边界电压序列,对物场区域进行方格剖分,得到对应的真实电导率分布图作为样本数据;2)数据预处理,对采集到的边界电压序列进行归一化处理并将序列转换成二维图;3)构建生成对抗式网络,使用样本数据集训练网络,得到边界测量电压序列和电导率分布序列之间的非线性映射关系;4)将未经训练的电压序列通过训练过的网络生成对应的电导率分布图。本发明解决了电阻抗断层成像逆问题求解时的非线性问题,提高了重建图像的精度,且抗噪性强,降低对成像系统抗噪性的要求,成像速度快。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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