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一种高载硒量的介孔二氧化硅长效抗菌纳米材料的制备方法
专利权人:
东华大学
发明人:
倪似愚,陈晶晶,魏媛媛,杨雪霞,金熙,江浩
申请号:
CN201910974572.2
公开号:
CN110771623A
申请日:
2019.14.10
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
本发明涉及一种高载硒量的介孔二氧化硅长效抗菌纳米材料的制备方法。该方法包括:扩孔的介孔二氧化硅制备,硒源和抗坏血酸混合溶液制备,载硒的介孔二氧化硅抗菌纳米材料制备。该方法获得的Se‑MSNs具有载硒量高、可调控性强,分散性好,颗粒均一,Se可以充分填充在MSNs的孔道中,相较于纯Se,Se‑MSNs颗粒在分散度方面有明显的优势,因此Se‑MSNs具有长效释放,持久抗菌等特点,有望作为一种新型无毒无害型的长效抗菌材料。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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