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磁気共鳴イメージング装置
专利权人:
HITACHI; LTD.
发明人:
KAWAMURA Takeshi,川村 武,IMAMURA Yukinobu,今村 幸信,ABE Mitsushi,阿部 充志
申请号:
JPJP2016/050252
公开号:
WO2016/114198A1
申请日:
2016.01.06
申请国别(地区):
WO
年份:
2016
代理人:
摘要:
An MRI device is provided with a static magnetic field generating device (2) having static magnetic field generating sources (2a, 2b) for generating a homogeneous magnetic field (7) in a space, a gradient magnetic field generating device (3) having gradient magnetic field generating sources (3a, 3b) for superimposing a gradient magnetic field (9) on the homogeneous magnetic field (7), a pair of good conductor members (5a, 5c) provided on both sides of the direction of the homogeneous magnetic field (7) in the region (imaging space, 8) where the homogeneous magnetic field (7) is generated between the static magnetic field generating sources (2a, 2b) and the gradient magnetic field generating sources (3a, 3b), and a high-electric-resistance member (5b) disposed between the pair of good conductor members (5a, 5c) so as to span to both sides of the imaging space (8) in the direction of the homogeneous magnetic field (7). It is thereby possible to provide an MRI device capable of reducing heat generation and degradation of a tomographic image due to eddy currents.Linvention concerne un dispositif dIRM qui comprend un dispositif de génération de champ magnétique statique (2) ayant des sources de génération de champ magnétique statique (2a, 2b) pour générer un champ magnétique homogène (7) dans un espace, un dispositif de génération de champ magnétique à gradient (3) ayant des sources de génération de champ magnétique à gradient (3a, 3b) pour superposer un champ magnétique à gradient (9) sur le champ magnétique homogène (7), une paire déléments conducteurs (5a, 5c) situés sur les deux côtés de la direction du champ magnétique homogène (7) dans la région (espace dimagerie, 8) dans laquelle le champ magnétique homogène (7) est généré entre les sources de génération de champ magnétique statique (2a, 2b) et les sources de génération de champ magnétique à gradient (3a, 3b), et un élément à haute résistance électrique (5b) disposé entre la paire déléments conducteurs (5a, 5c) de
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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