一种山葵脱毒苗的培养方法
- 专利权人:
- 成都大学
- 发明人:
- 王跃华,孙雁霞,刘洪明,段茂华,任三军,赵钢,宋超,刘银花,唐川,梅英,徐恩琴,唐凤如,江明殊,李睿玉,许志强
- 申请号：
- CN201310724001.6
- 公开号：
- CN103718963B
- 申请日:
- 2013.12.24
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 王蔚
- 摘要：
- 本发明公开了一种山葵脱毒苗的培养方法，该方法选用无菌的山葵芽体为培养材料，经变温处理后，取其芽分生组织接入丛生芽分化培养基中，再经壮苗培养基和生根培养基的诱导培养而获得山葵脱毒苗，所培养的山葵脱毒苗具有生长速度快、有效组分含量高等优点。本发明方法为山葵优良品种的快速培育提供了一条新途径。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
