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一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法
专利权人:
云南宝成魔芋科技开发有限公司
发明人:
敖宝成,申恩情
申请号:
CN201810984573.0
公开号:
CN109076910A
申请日:
2018.08.28
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
戎加富
摘要:
本发明公开了一种覆盖地膜的魔芋高产栽培方法,包括以下步骤:①对选择好的栽培地进行深翻、施基肥和开沟理墒,墒的宽度为1.2~1.3m,墒的高度为25~35cm,墒沟的宽度为30~40cm;②在墒面上覆盖地膜;③在地膜上按株距20~30cm、行距30~40cm的密度播种;④在魔芋齐苗后追施提苗肥1次,生长旺盛期追施生长肥2~3次;⑤揭膜:在立秋前后,应及时将覆盖在墒面上的地膜揭除;⑥采收。本发明不仅保温保湿效果好、防病害、防草害效果好,而且养分的配比合理,能够实现魔芋生长期养分需求和肥料养分供给的基本吻合,使得亩产量和优等品率得到了大幅的提高,与传统的种植技术相比,其亩产量提高了30%左右。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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