一种脑损伤治疗仪
- 专利权人:
- 万芪
- 发明人:
- 万芪,宋恩民,陈娟,孙百勇
- 申请号：
- CN201510235937.1
- 公开号：
- CN104857632A
- 申请日:
- 2015.05.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种脑损伤治疗仪，包括至少一对不对称电极和头盔；所述头盔用于固定电极并确定电极与头的相对位置；所述不对称电极，用于形成锥形电场，其负极面积小于正极面积,所述负极面积在25mm2至2500mm2之间，电极之间的距离在150mm至300mm之间，负极比正极面积小于或等于100倍；所述不对称电极与头盔可活动连接，使得所述不对称电极相对于头盔位置可调，用于调节所述不对称电极，使得其负极靠近脑损伤区颅外侧且正极放置于对侧颅外且所述锥形电场经过室管膜下区。本发明提供的脑损伤治疗仪，通过不对称电极形成非均匀电场，使非均匀电场的负极靠近脑损伤区域，从而取得较均匀电场更佳的治疗效果。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
