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硫化ナトリウムインジウム緩衝層を有する薄膜太陽電池のための層システムの製造方法
- 专利权人:
- ベンブー デザイン アンド リサーチ インスティテュート フォー グラス インダストリーＢｅｎｇｂｕ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｆｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ
- 发明人:
- イェアク パルム,シュテファン ポールナー,トーマス ハップ,トーマス ダリボア,シュテファン ヨースト,ローラント ディートミュラー,ラジニーシュ ヴェルマ
- 申请号：
- JP20170534726
- 公开号：
- JP2018500774(A)
- 申请日:
- 2014.12.22
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、薄膜太陽電池（１００）のための層システム（１）を製造する方法に関するものであり、ａ）吸収層（４）が製造され、ｂ）吸収層（４）上に緩衝層（５）が製造され、緩衝層（５）は、式ＮａｘＩｎｙ−ｘ／３Ｓ、０．０６３≦ｘ≦０．６２５および０．６８１≦ｙ≦１．５０に従う硫化ナトリウムインジウムを含み、緩衝層（５）は、硫化インジウムの堆積なしで、少なくとも１つのナトリウムチオインデート化合物に基づいて製造される。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
