IMPLANT MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

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专利权人:

도요에이테크 가부시키가이샤

发明人:

니카와 히로키,마키히라 세이치요,미네 유이치,아베 요시노리,나카타니 다츠유키,오카모토 게이시,닛타 유키

申请号：

KR1020117021028

公开号：

KR1016145710000B1

申请日:

2009.02.10

申请国别(地区):

KR

年份:

2016

代理人:

摘要：

The implant material comprises a base material and a carbonaceous thin film formed on the surface of the base material and containing silicon. The carbonaceous thin film contains carbon-bonded C-C components and carbon-silicon bonded SiC components, and the molar ratio of SiC components is 0.06 or more.임플란트용 재료는, 베이스재와, 베이스재의 표면에 형성되며, 실리콘을 포함한 탄소질 박막을 구비한다. 탄소질 박막은, 탄소끼리가 결합된 C-C 성분 및 탄소와 실리콘이 결합된 SiC 성분을 포함하고, SiC 성분의 몰비율은 0.06 이상이다.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/