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A surface treating method of use RF-sputtering process for Dental Implant Fixture
专利权人:
发明人:
박상언,이인규,김정환,정성수
申请号:
KR1020090111245
公开号:
KR1011095780000B1
申请日:
2009.11.18
申请国别(地区):
KR
年份:
2012
代理人:
摘要:
PURPOSE: A surface processing method of a dental implant fixture using an RF-sputtering process is provided to selectively perform an etching process and a blasting process for controlling the increasing rate of the surface area. CONSTITUTION: A surface processing method of a dental implant fixture comprises the following steps: washing contaminants from the outer surface of the dental implant fixture(S100); increasing the surface area of the dental implant fixture by surface processing(S200); preparing powder for forming a HAp target, and heating and compressing the power for obtaining the HAp target(S300); and a evaporating the HAp target on the surface of the dental implant fixture using an RF-sputtering process(S400).본 발명은 알에프(RF)-스퍼터링 공정을 이용한 치과용 임플란트 픽스츄어의 표면 처리 방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 알에프-스퍼터링 공정을 이용한 치과용 임플란트 픽스츄어의 표면 처리 방법은, 기계 가공된 치과용 임플란트 픽스츄어의 외면에 부착된 오염물을 제거하는 세척단계(S100)와, 치과용 임플란트 픽스츄어의 외면에 HAp(Hydroxy Apatite)타겟(T)을 RF-sputtering법으로 증착하는 HAp코팅단계(S400)로 이루어지며, 상기 세척단계(S100)와 HAp코팅단계(S400) 사이에는, 상기 치과용 임플란트 픽스츄어의 표면적을 증가시키는 표면처리단계(S200)가 실시됨을 특징으로 한다. 이와 같은 구성에 의하면 표면적이 증가하고, 외면에 HAp이 증착되어 골융합성이 향상되는 이점이 있다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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