温室高山植物栽培基质
- 专利权人:
- 中国科学院武汉植物园
- 发明人:
- 刘宏涛,宋利平,袁玲
- 申请号：
- CN201610078159.4
- 公开号：
- CN105519378B
- 申请日:
- 2016.02.04
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 张云花
- 摘要：
- 本发明公开了一种温室高山植物栽培基质，从下至上依次铺设四层不同的基质，具体包括：基础层，其为石英、长石、云母、高岭石和花岗岩中一种或几种组合的混合物，所述基础层的厚度为30‑50cm，粒径大小为1‑5cm；原土层，其为高山草甸土或亚高山草甸土制得，所述原土层的厚度为30‑60cm；营养层，其为有机质、无机矿物质、无机肥和微生物菌肥的混合物，所述营养层的厚度为30‑120cm；以及覆盖层，其为蛭石和/或火山岩组成，所述覆盖层的厚度为3‑5cm。本发明的温室植物栽培基质易于生产，成本较低，应用于栽培温室景观高山植物能显著提高其移栽成活率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
