霍山石斛培养基及其制备方法
- 专利权人:
- 皖西学院
- 发明人:
- 朱珊珊,朱荣荣,赵宇,汪玉娟,戴军,张帅,徐重磊,吴蒙娜,常子恩
- 申请号：
- CN202011050227.9
- 公开号：
- CN112262733A
- 申请日:
- 2020.09.29
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2021
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了霍山石斛培养基及其制备方法，包含如下重量份计的原料：香蕉1‑5份、土豆1‑5份、生长素0.1‑0.5份、路易斯酸1‑3份、MS培养基质5‑15份；其制备的方法步骤入下：S1：向霍山石斛培养基制备装置中加入MS培养基所需原料和水，加热搅拌至原料完全溶解；S2：向S1的混合液中加入香蕉和土豆，并混合均匀；S3：向S2的混合液中加入生长素和路易斯酸并混合均匀；S4：混合后溶液经滤网过滤后进入霍山石斛培养基制备装置中的暂存腔，并通过进料管对溶液进行定容，最后经分配组件添加至容器中即得霍山石斛培养基。本发明提高了霍山石斛的生长速率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
