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基于TMR弱磁传感器阵列的脑磁信息检测系统及方法
- 专利权人:
- 上海理工大学
- 发明人:
- 陈书行,王胜峰,钟秋婵,唐詹,高秀敏
- 申请号：
- CN201810568531.9
- 公开号：
- CN109009065A
- 申请日:
- 2018.06.05
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种基于TMR弱磁传感器阵列的脑磁信息检测系统及方法,该系统由TMR弱磁传感器阵列检测模块和信号分析模块组成,该方法的步骤为:1)将带有TMR磁组传感器的圆锥形装配单元的磁阻传感器阵列结构安放在头部,形成脑磁传感层,由磁阻传感器阵列采集脑磁场信息;2)采用磁阻传感器阵列结构中TMR磁阻传感器产生的磁场方向相反的结构;3)由信号分析模块从TMR弱磁传感器阵列检测模块中磁阻元件的输出信号中提取奇次谐波,并对奇次谐波进行分析,再通过优化算法进行数据分析,从而准确的检测出脑磁信息。本发明具有简易的算法,实现方便,性能稳定,结果可靠、易于扩展、效益高的优点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
