一种炉管干式清洗方法
- 专利权人:
- 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 发明人:
- 任瑞龙,何华忠,刘晓林,俞小丰
- 申请号：
- CN200710046836.5
- 公开号：
- CN101406891A
- 申请日:
- 2007.10.09
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2009
- 代理人:
- 屈 蘅`李时云
- 摘要：
- 本发明公开了一种炉管干式清洗方法，所述炉管被用于执行薄膜沉积制程，所述方法包括下列步骤：(1)在620～525摄氏度的第一设定温度下对炉管进行抽真空；(2)在保持炉管真空的情况下将炉管内的温度降低至第二设定温度，该第二设定温度的范围是400±5摄氏度；(3)向炉管内通入反应气体。与现有技术相比，本发明提供的干式清洗方法先在500摄氏度以上的高温条件下抽真空，再进行降温到400摄氏度，这样虽然在降温的过程中掺杂砷的多晶硅薄膜的应力在随着温度的降低而逐渐增大，但缺少了抽真空时候产生的震动因素的驱动，热电偶温度计也就不会断裂了。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
