An ultrasonic probe which is provided with a substrate 301, a lower electrode 102 that is formed on the substrate 301, a lower insulating film 303 that is formed on the lower electrode 102, an upper insulating film 305 that is formed on the lower insulating film 303 so as to form a hollow cavity 103 between itself and the lower insulating film 303, and an upper electrode 105 that is formed on the upper insulating film 305. The hollow cavity 103 overlaps the lower electrode 102； the upper electrode 105 overlaps the hollow cavity 103 and the lower electrode 102； and the upper insulating film 305 has a larger leakage current than the lower insulating film 303.La présente invention concerne une sonde ultrasonore qui comporte un substrat (301), une électrode inférieure (102) qui est formée sur le substrat (301), un film isolant inférieur (303) qui est formé sur l'électrode inférieure (102), un film isolant supérieur (305) qui est formé sur le film isolant inférieur (303) de façon à former une cavité creuse (103) entre lui-même et le film isolant inférieur (303), et une électrode supérieure (105) qui est formée sur le film isolant supérieur (305). La cavité creuse (103) chevauche l'électrode inférieure (102) ； l'électrode supérieure (105) chevauche la cavité creuse (103) et l'électrode inférieure (102) ； et le film isolant supérieur (305) présente un courant de fuite plus grand que celui du film isolant inférieur (303).基板３０１と、基板３０１上に形成された下部電極１０２と、下部電極１０２上に形成された下層絶縁膜３０３と、下層絶縁膜３０３上に形成され、下層絶縁膜３０３との間に空洞部１０３を形成する上層絶縁膜３０５と、上層絶縁膜３０５上に形成された上部電極１０５と、を有し、空洞部１０３は、下部電極１０２と重なり、上部電極１０５は、空洞部１０３および下部電極１０２と重なり、上層絶縁膜３０５は、下層絶縁膜３０３よりもリーク電流の大きい絶縁膜とした超音波探触子。
