基于双探测器光栅干涉仪的单次曝光X射线暗场成像方法
- 专利权人:
- 合肥工业大学
- 发明人:
- 王志立,任坤,石晓敏,夏健霖
- 申请号：
- CN201810481753.7
- 公开号：
- CN108896584A
- 申请日:
- 2018.05.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 何梅生
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于双探测器光栅干涉仪的单次曝光X射线暗场成像方法，设置由X射线源、相位光栅、第一探测器和第二探测器构成的双探测器光栅干涉仪；将第一探测器的工作点固定在光强曲线的峰位，分别获取背景投影图像和被成像物投影图像；将第二探测器的工作点固定在光强曲线的谷位，分别获取背景投影图像和被成像物投影图像；利用获取的图像提取被成像物的暗场信号。本发明摒弃繁琐的光栅步进扫描，简化X射线暗场成像过程；对被成像物进行一次曝光，降低辐射损伤风险；解决了低光子计数时暗场信号的准确提取问题，从而为发展快速、准确、低辐射剂量的X射线暗场成像技术提供新途径。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
