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一种神经刺激电极及其制造方法
- 专利权人:
- 杭州暖芯迦电子科技有限公司
- 发明人:
- 於广军,杨旭燕,王伟,杨佳威
- 申请号：
- CN201710339961.9
- 公开号：
- CN107224666A
- 申请日:
- 2017.05.15
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种神经刺激电极及其制造方法，包括：S1：对半导体衬底进行扩散掺杂处理；S2：然后在半导体衬底的正面刻蚀出电极阵列结构；S3：向电极阵列结构的沟槽内填充玻璃；S4：再将半导体衬底的正面与一衬片键合；S5：接着对半导体衬底的背面进行减薄；S6：再对半导体衬底的背面进行金属电极图形化；S7：最终剥离形成神经刺激电极，本发明可形成高密度电极阵列，且电极形状可任意设计成圆形，方形，三角等所需图案，电极阵列可均匀排布也可疏密分布；并可与刺激芯片实现倒装焊连接，避免了柔性电极阵列随着电极阵列密度增加，与刺激芯片所需连接线大量增加的弊端，还可实现晶圆化大批量生产，并大幅度降低生产成本。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
