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一种基于碳纳米管线的植入式神经电极
专利权人:
上海交通大学
发明人:
隋晓红,朱丰源,王逸林,朱璟然
申请号:
CN201810771411.9
公开号:
CN108904972A
申请日:
2017.04.14
申请国别(地区):
CN
年份:
2018
代理人:
摘要:
本发明公开了一种基于碳纳米管线的植入式神经电极,涉及医疗器械领域,包括暴露部分和绝缘部分,所述暴露部分与所述绝缘部分来源于同一根碳纳米管线电极,所述暴露部分的碳纳米管线电极直接暴露,所述绝缘部分的碳纳米管线电极被绝缘层包裹;所述暴露部分用于神经电信号的记录或者对神经组织进行电刺激。该发明公开的神经电极尺寸小,具有柔性结构且紧密地与神经元接触,这种设置能够降低对神经组织造成的机械损伤,有利于实现长期稳定的体内植入。神经电极使用的碳纳米管材料具有电荷注入能力高的优点,使用小尺寸碳纳米管线的神经电极既能够实现高信噪比的神经电信号记录,又能够实现局部神经电刺激,提高了神经电极电刺激的空间选择性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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