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一种下沉式控根容器种植系统
专利权人:
天津良景市政园林工程有限公司
发明人:
杨磊
申请号:
CN201920607008.2
公开号:
CN210444978U
申请日:
2019.29.04
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
一种下沉式控根容器种植系统,包括外围合体、内围合体、围堰层、保湿层、基质层、淋水层;淋水层包括上渗水层、透水层、下渗水层。内围合体位于地下,存在大量凸起,凸起处设有通气孔,与外围合体留有间隙.本实用新型容器位于地表下且侧壁与土层形成间隙,在保证空气断根的同时,兼顾了栽植苗木夏季的保湿或冬季的保温,苗木成活率提高。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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