Die vorliegenden Methoden betreffen die Herstellung von nicht rechteckigen (z.B. nicht quadratischen) Lichtbildgebungspanelen, die mit rechteckigen Bildgebungspanelen vergleichbare aktive Flächen aufweisen, jedoch unter Verwendung von weniger c-Si-Wafern hergestellt werden. Derartige Lichtbildgebungspanele können im Wesentlichen superkreisförmig gestaltet (z.B. ein Quadrat oder Rechteck mit einer oder mehreren gerundeten Ecken) sein und können unter Verwendung herkömmlicher kristalliner Silizium(c-Si)-Wafer, wie beispielsweise 8‘‘-Wafer, hergestellt werden.The present methods relate to the production of rectangular (square), for example, no light image panels relative to the environment with rectangular image panels have comparable active surfaces, but with the use of less c - si - wafers are produced. Such light image panels can be essentially designed in the shape of a super circle (for example, a square or rectangle with one or more rounded corners) and can be prepared using conventional crystalline silicon (c - si) - wafer, such as, for example, 8 ‘ ‘ - wafer produced are.
