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一种HEMT 生物传感器
- 专利权人:
- 成都海威华芯科技有限公司
- 发明人:
- 黎明
- 申请号：
- CN201621435438.3
- 公开号：
- CN206270282U
- 申请日:
- 2016.12.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 徐丰
- 摘要：
- 本实用新型涉及一种全新的AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器，与常规的GaN HEMT微波射频器件不同。该GaN器件采用生物分子膜做为器件栅极，在器件工作时,引入待测抗原会引起生物分子膜表面电压的变化,从而引起势阱中2DEG浓度的改变,而2DEG浓度的改变会导致晶体管的源极(source)和漏极(drain)之间电流的变化,因此可通过器件电流(IDSS)的变化来检测引入待测抗原(例如前列腺特异性抗原PSA)的变化。本实用新型提出的GaN生物传感器具有灵敏度高,与射频微波器件易于集成等优点,具备良好的应用前景，可进一步推动下一代微系统级生光电的集成，大大拓宽医疗电子芯片领域的应用，具有明显的创新性和研究价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
