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ダミーアレイリーク減少のための相変化メモリセル注入
- 专利权人:
- インテル・コーポレーション
- 发明人:
- リウ、ルクン ジェイ．,ルソー、ウゴ,ハイネマン、マックス エフ．
- 申请号：
- JP20170527687
- 公开号：
- JP2018503972(A)
- 申请日:
- 2015.11.20
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 本開示の実施形態は、ダミーアレイリーク減少のための相変化メモリセル注入を説明する。一実施形態において、装置は、複数の相変化メモリ（ＰＣＭ）素子を含み、複数のＰＣＭ素子の個別のＰＣＭ素子は、底部電極層と、底部電極層上に配置されるセレクトデバイス層と、セレクトデバイス層上に配置される中間電極層と、中間電極層上に配置される相変化材料層と、相変化材料層上に配置される上部電極層とを含むダミーセルであり、相変化材料層は、ダミーセルのセルリークを減少させるべく不純物でドープされる。他の実施形態が、説明および／または特許請求され得る。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
