形成至少一部分双位存储核心阵列于半导体衬底上的方法
- 专利权人:
- 斯班逊有限公司
- 发明人:
- W·钱,M·T·拉姆斯贝,J·Y-M·扬,S·哈达德
- 申请号：
- CN200580015098.7
- 公开号：
- CN100479169C
- 申请日:
- 2005.02.11
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2009
- 代理人:
- 程 伟
- 摘要：
- 本发明系有关具体实作一种形成以晶体管为基底之存储装置(600)的双多晶硅法(500)。本方法可用比习知位线少的能量形成深度比习知位线浅之埋入位线(662)以节省资源及空间，且可改善Vt下滑现象。氧化物材料(670、674)也形成于该等埋入位线(662)的上方以改善(例如，增加)位线(662)与字线(678)之间的崩溃电压，从而程序化与清除电荷之间有较大的辨别力且有更可靠的资料储存所。本方法(500)也利于减少埋入位线宽度(666)，从而形成更靠近之位线(662)。结果，可“包装”更多装置于相同或较小面积内。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
